超高密度半導体量子ドット形成技術

摘要

本研究では自己組織化量子ドットの多重積層化に必要な歪補償法を考案した。 格子不整合材料系の結晶成長における自己組織化量子ドットは数十nmの構造を簡便に作製できることから、量子ドットの有効な作製方法として注目されてきたが、歪の蓄積という問題があり、高密度化に限界があった。 本研究では自己組織化量子ドットを積層化して高密度量子ドットを形成する際、歪補償法を用いることにより、世界最高となる150層の量子ドット層の多重積層化を達成し、5×10~(12)/cm~2以上という超高密度量子ドットの作製に成功した。 作製した量子ドットは室温において1.5μmで非常に強い発光を示しており、光ファイバ通信用の半導体光デバイスへの応用が期待できる。