机译:InGaAs载流子收集量子阱对通过二嵌段共聚物光刻和选择性区域外延制造的InAs QD有源区激光器性能的影响
机译:使用二嵌段共聚物光刻在InP衬底上控制InGaAs / InGaAsP量子点的生长
机译:选择性区域外延生长GaN / InGaN量子点的相场模拟
机译:超高密度InGaN基量子点的选择区外延
机译:自组装二嵌段共聚物在纳米图案上的锗/硅量子点研究
机译:站点选择性地生长INAS / INP量子点的光学性质具有通过嵌段共聚物光刻预定定位的预定定位
机译:双嵌段共聚物光刻技术对超高密度InGaN量子点的选择区域外延
机译:二嵌段共聚物基质中量子点的定向组装。