シリコンウェーハ表面のCVDパーティクル：核モデルによる幾何学的寸法の解析と誘起汚染量の推定

摘要

ウェーハ表面の品質トラブルであるCVDパーティクル現象について解説した。核モデルを通用することで、CVDパーティクルの幾何学的寸法から核サイズを見積もることができる。核を構成する物質を事前に同定·定量することは現状の分析手法では困難である。