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Metal nanowire grating patterns

机译:金属纳米线光栅图案

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摘要

Metal nanowire patterning in the form of grating structures has been carried out using a wide range of lithography techniques, and many hybrid methods derived from them. The challenge is to achieve sub-100 nm linewidths with controllable spacing and thickness over large areas of substrates with high throughput. In particular, the patterns with linewidth and spacing of a few tens of nm offer properties of great interest in optoelectronics and plasmonics. Crossbar grating structures-two gratings patterned perpendicular to each other-will play an important role as ultra-high density electrode grids in memristive devices for non-volatile memory.
机译:金属纳米线以光栅结构的形式进行了模式,并使用多种光刻技术进行了,并从中得出了许多混合方法。 面临的挑战是在吞吐量高的大面积基板上实现具有可控间距和厚度的低100 nm线宽。 特别是,几十nm的线宽和间距的模式为光电子和等离子体学带来了极大的兴趣。 横杆光栅结构两个垂直于垂直于彼此的光栅将在不易易抛光内存的备忘录设备中作为超高密度电极网格发挥重要作用。

著录项

  • 来源
    《Nanoscale》 |2010年第10期|2035-2044|共10页
  • 作者

    G. U. Kulkarni; B. Radha;

  • 作者单位

    Chemistry and Physics of Materials Unit and DST Unit on Nanoscience, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Jakkur P.O.,Bangalore, 560064, India;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 英语
  • 中图分类
  • 关键词

    Perpendicular; Nanowire; Nonvolatile memoryMetalsSpacing;

    机译:垂直;纳米线;非挥发性记忆力范围;

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