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机译:4H-SIC中非均匀钨碳化碳化物屏障的电气性能
CNR IMM Str 8 5 Zona Ind I-95121 Catania Italy;
CNR IMM Str 8 5 Zona Ind I-95121 Catania Italy;
STMicroelectronics Stradale Primosole 50 I-95121 Catania Italy;
STMicroelectronics Stradale Primosole 50 I-95121 Catania Italy;
CNR IMM Str 8 5 Zona Ind I-95121 Catania Italy;
STMicroelectronics Stradale Primosole 50 I-95121 Catania Italy;
STMicroelectronics Stradale Primosole 50 I-95121 Catania Italy;
CNR IMM Str 8 5 Zona Ind I-95121 Catania Italy;
semiconductor interface; 4H-SiC; tungsten carbide; electrical characterization; current transport; Schottky device;
机译:钨/ 4h-sic(000-1)肖特基二极管中非均匀势垒高度的高斯分布
机译:不均匀接触对4H-SiC基肖特基二极管电性能的影响
机译:Se / n-GaN肖特基势垒二极管中非均匀势垒高度的电学性质和双高斯分布
机译:非均质Pt / GaN肖特基势垒的电学性质
机译:在硅衬底上生长的异质外延3C碳化硅上的肖特基势垒二极管的电学特性。
机译:碳化钨-钴复合材料的纳米压痕性能与碳化钨晶体取向的关系
机译:4H-SIC中非均匀碳化钨浮床屏障的电气性质
机译:对钨,钼和钽的光电肖特基偏差的进一步研究单钨晶体的光电肖特基偏差