机译:不均匀接触对4H-SiC基肖特基二极管电性能的影响
Laboratoire des Semiconducteurs et Dispositifs Electroniques, Ecole Superieure des Sciences et Techniques de Tunis, 05 Av. Taha Hussein, 1008 Montfleury, Tunis, Tunisia;
schottky barrier; 4H-SiC; electrical parameters; defects; dynamic properties;
机译:快速电子辐照前后具有RuWO_x肖特基接触的4H-SiC肖特基二极管的电学特性
机译:具有RuO_2和RuWO_x肖特基触点的4H-SiC肖特基二极管的电学特性
机译:退火温度对n型4H-SiC上钯肖特基触头电和结构性能的影响
机译:缺陷对4H-SIC肖特基二极管的电性能的影响
机译:薄纳米晶金刚石基肖特基势垒二极管和其他两个端子结构的电性能。
机译:基于Ni / 4H-SiC肖特基二极管的400°C传感器可在工业环境中进行可靠的温度监控
机译:4H-siC基肖特基二极管缺陷与电性能的相关性