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机译:4H-SIC中非均匀碳化钨浮床屏障的电气性质
M Vivona; G Greco; G Bellocchi; L Zumbo; S Di Franco; M Saggio; S Rascunà; F Roccaforte;
机译:4H-SIC中非均匀钨碳化碳化物屏障的电气性能
机译:钨/ 4h-sic(000-1)肖特基二极管中非均匀势垒高度的高斯分布
机译:不均匀接触对4H-SiC基肖特基二极管电性能的影响
机译:非均质Pt / GaN肖特基势垒的电学性质
机译:在硅衬底上生长的异质外延3C碳化硅上的肖特基势垒二极管的电学特性。
机译:碳化钨-钴复合材料的纳米压痕性能与碳化钨晶体取向的关系
机译:4H-SIC碳化硅肖特基势垒二极管制备工艺技术的研制
机译:碳化硅阻挡层-肖特基二极管,在碳化硅层的区域中具有深度和距离的沟槽,使得在肖特基-过渡-边界表面处的电场强度等于或小于特定值
机译:能够改善电流特性的碳化硅肖特基势垒二极管装置及其制造方法
机译:包含用于改善导电性,热稳定性和硬度特性的碳化钨的铜膜及其制造方法
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