机译:Monte Carlo锗死层厚度对延长源测量HPGE伽玛探测器实验效率的影响
Abdelmalek Essaadi Univ Fac Sci ERSN Tetouan Morocco;
Univ Granada Fac Sci Dept Inorgan Chem LABRADIQ Radiochem &
Environm Radiol Lab Granada 18077;
Abdelmalek Essaadi Univ Fac Sci ERSN Tetouan Morocco;
Univ Granada Fac Sci Dept Inorgan Chem LABRADIQ Radiochem &
Environm Radiol Lab Granada 18077;
Abdelmalek Essaadi Univ Fac Sci ERSN Tetouan Morocco;
Abdelmalek Essaadi Univ Fac Sci ERSN Tetouan Morocco;
Abdelmalek Essaadi Univ Fac Sci ERSN Tetouan Morocco;
Abdelmalek Essaadi Univ Fac Sci ERSN Tetouan Morocco;
Abdelmalek Essaadi Univ Fac Sci ERSN Tetouan Morocco;
Abdelmalek Essaadi Univ Fac Sci ERSN Tetouan Morocco;
Dead layer; HPGe detector; Extended sources; Monte-Carlo calculation; Modeling;
机译:蒙特卡洛分析锗死层厚度对使用扩展源测量的HPGeγ探测器实验效率的影响
机译:蒙特卡洛分析锗死层厚度对使用扩展源测量的HPGeγ探测器实验效率的影响
机译:Monte Carlo锗死层厚度对延长源测量HPGE伽玛探测器实验效率的影响
机译:蒙特卡罗模拟研究HPGE探测器死层厚度的变化及其对探测器响应和样品表征测量的影响
机译:MCNP-DSP:源驱动的噪声测量参数的中子和伽马射线蒙特卡洛计算。
机译:使用多源探测器分离漫反射光谱法验证两层逆蒙特卡洛吸收模型
机译:通过蒙特卡洛模拟确定用于体积源的HPGe检测器的光电峰检测效率
机译:用于校准锗探测器光子效率的蒙特卡罗模拟精度