摘要：和CeF<,3>在高剂量率照射下的线性响应特性.实验中利用数字化示波器同时记录下同规格的晶体在前、后不同位置上的响应波形,根据二者的李萨如图形来判断较高剂量率下晶体的光输出是否非线性.同时用热释光剂量片对应每个脉冲的入射γ射线强度,并根据示波器监测到的脉冲波形参数,推算出晶体受照剂量率的大小.实验结果表明,PbWO<,4>晶体在辐射强度为6.0×10<'19>MeV/(cm<'2>·s)、CeF<,3>晶体在辐射强度为8.0×10<'17>MeV/(cm<'2>·s)时光输出仍为线性,能够满足目前的使用要求.">主要叙述了在"强光一号"上进行晶体高剂量率线性响应范围测定的实验方法,分析了脉冲辐射场参数诊断中常用的两种无机晶体PbWO<,4>和CeF<,3>在高剂量率照射下的线性响应特性.实验中利用数字化示波器同时记录下同规格的晶体在前、后不同位置上的响应波形,根据二者的李萨如图形来判断较高剂量率下晶体的光输出是否非线性.同时用热释光剂量片对应每个脉冲的入射γ射线强度,并根据示波器监测到的脉冲波形参数,推算出晶体受照剂量率的大小.实验结果表明,PbWO<,4>晶体在辐射强度为6.0×10<'19>MeV/(cm<'2>·s)、CeF<,3>晶体在辐射强度为8.0×10<'17>MeV/(cm<'2>·s)时光输出仍为线性,能够满足目前的使用要求.
