机译:H-BN膜厚度的依赖性在不同取向的镍单晶基板上生长
Univ Texas Austin Microelect Res Ctr Austin TX 78758 USA;
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Univ Texas Dallas Richardson TX 75080 USA;
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hexagonal boron nitride; growth mechanism; surface diffusion; electron backscatter diffraction;
机译:H-BN膜厚度的依赖性在不同取向的镍单晶基板上生长
机译:晶体取向对单晶衬底上生长的NiFe,Co和Ni外延fcc薄膜磁性能的影响
机译:在不同方向的SrTiO_3单晶衬底上外延生长的FePt,CoPt,FePd和CoPd合金薄膜的结构和磁性
机译:具有不同取向的MgO单晶基板上生长的FEPD合金外延薄膜的结构和磁性
机译:在氮化镓上生长的氮化铟镓薄膜的生长和临界层厚度测定。
机译:镍基单晶高温合金中共晶的优选生长取向和微偏析行为
机译:GaN衬底上生长的晶圆尺寸和单晶MoSe_2原子薄膜,用于发光和收集