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刘明霞; 胡永锋; 马飞; 徐可为;
西安交通大学金属材料强度国家重点实验室;
钨膜; 模板效应; 膜厚效应; 残余应力; 电阻率;
机译:生长温度和膜厚对脉冲激光沉积在铂硅衬底上生长的Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3薄膜的电性能的影响
机译:纳米厚的银膜电沉积在单晶硅晶片上
机译:在金属箔上生长的反铁电厚膜,具有快速的放电速度和出色的储能性能
机译:膜厚对氮化铝陶瓷(AlN)上RuO_(2-)厚膜电阻器电性能的影响
机译:厚膜多层膜中玻璃陶瓷电介质的高温电性能和失效机理
机译:使用16nm厚的单晶硅膜的水控场效应晶体管(WG-FET)的建模和实现
机译:DUpONT BIROX和CERmaLLOY厚膜电阻器的电性能III:电场效应
机译:厚膜电阻器的材料,厚膜电阻器的浆糊,厚膜电阻器,厚膜电阻器装置,厚膜电阻器的制造方法和厚膜电阻器的制造方法
机译:检查膜厚不均匀的装置和方法,以及用检查膜厚不均匀的装置涂装设备,以及检查在基质上形成的膜厚不均匀的方法
机译:磁记录材料产品-通过湿-湿共挤出流延在薄膜基片上,并在其后附有磁体,从而形成厚的上磁性层和薄的下非磁性层
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