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机译:使用热扫描探针光刻硅中的10纳米特征尺寸
IBM Res Zurich Saumerstr 4 CH-8803 Ruschlikon Switzerland;
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SwissLitho AG Technopk Str 1 CH-8005 Zurich Switzerland;
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IBM Res Zurich Saumerstr 4 CH-8803 Ruschlikon Switzerland;
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Univ Pittsburgh Pittsburgh PA 15261 USA;
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nanofabrication; nanolithography; high resolution; scanning probe lithography; pattern transfer; silicon nanowires;
机译:使用热扫描探针光刻硅中的10纳米特征尺寸
机译:通过氧化扫描探针光刻氧化扫描探头μMOS_2和MOSE_2纳米刻痕装置的亚10 NM图案化
机译:在杯[4]间苯二芳烃上扫描近端探针光刻,获得低于10 nm的分辨率
机译:适用于10纳米以下扫描探针光刻的0.1纳米分辨率定位台
机译:硅表面纳米尺度金属特征的扫描隧道显微镜和光谱学
机译:10以下使用热敏硅的纳米特征尺寸扫描探针光刻
机译:使用热扫描进行亚20 nm硅图案化和金属剥离 探针光刻
机译:扫描探针光刻。 3.在无意添加溶剂或电解质的情况下,纳米级电化学图案化auand有机抗蚀剂