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机译:使用点缺陷,增强平面外电荷运输在垂直堆叠的二维异质结构中
Shandong Univ Sch Phys State Key Lab Crystal Mat Jinan 250100 Shandong Peoples R China;
Tongji Univ Ctr Phonon &
Thermal Energy Sci Sch Phys Sci &
Engn Shanghai 200092 Peoples R China;
Shandong Univ Sch Phys State Key Lab Crystal Mat Jinan 250100 Shandong Peoples R China;
Shandong Univ Sch Phys State Key Lab Crystal Mat Jinan 250100 Shandong Peoples R China;
TMDCs; localized states; heterostructure; photodetector; ion irradiation;
机译:使用点缺陷,增强平面外电荷运输在垂直堆叠的二维异质结构中
机译:垂直堆叠的二维异质结构碳-MoS 2 sub>纳米片中的界面应变控制电化学反应性
机译:横向和纵向缺陷对石墨烯-H-BN /铜垂直堆叠异质结构的力学性能的影响
机译:缺陷掺杂InGaAs / InP异质结构中与压力有关的二维电子传输
机译:不同类型的二维异质结构中的充电和能量转移
机译:垂直堆叠的二维异质结构碳-MoS2纳米片中的界面应变控制电化学反应性
机译:垂直堆叠二维异质结构碳-MOS2纳米液中的界面应变控制电化学反应性