机译:富含铟indan / GaN轴向纳米线异质结构的形态剪裁和生长机理通过等离子体辅助分子束外延
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies UMR 9001 CNRS Univ. Paris Sud Univ. Paris-Saclay 8 Avenue de la Vauve Palaiseau 91120 France;
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies UMR 9001 CNRS Univ. Paris Sud Univ. Paris-Saclay 8 Avenue de la Vauve Palaiseau 91120 France;
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies UMR 9001 CNRS Univ. Paris Sud Univ. Paris-Saclay 8 Avenue de la Vauve Palaiseau 91120 France;
Department of Physics and Graduate School of Nanoscience &
Technology (WCU) Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) Daejeon 305-701 The Republic of Korea;
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Technology (WCU) Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) Daejeon 305-701 The Republic of Korea;
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机译:富含铟indan / GaN轴向纳米线异质结构的形态剪裁和生长机理通过等离子体辅助分子束外延
机译:InGaN在(0001)GaN上的等离子辅助分子束外延生长图,用于InGaN组成牌号的优化合成
机译:分子束外延选择性生长的纳米柱状InGaN / GaN异质结构的生长条件,形貌和光学性质之间的相关性
机译:利用等离子体辅助分子束外延生长和表征InGaN / GaN异质结构
机译:使用气体源和RF等离子体辅助金属 - 有机分子束外延对GaN薄膜生长的结构,形态和动力学
机译:分子束外延在独立式GaN光栅上InGaN / GaN量子阱的图案生长
机译:分子束外延选择性生长的纳米柱状InGaN / GaN异质结构的生长条件,形貌和光学性质之间的相关性