机译:用于耐久相变记忆的纳米晶体 - 沉积(凝固)(β)(X)(SB2TE3)(1-X)膜的原子层沉积
Seoul Natl Univ Dept Mat Sci &
Engn Seoul 151744 South Korea;
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Korea Res Inst Chem Technol Ctr Thin Film Mat Daejeon 34114 South Korea;
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机译:用于耐久相变记忆的纳米晶体 - 沉积(凝固)(β)(X)(SB2TE3)(1-X)膜的原子层沉积
机译:Ge〜(4 +)-烷氧基前驱体动力学吸附过程对(GeTe2)_((1-x))(Sb2Te3)_x层原子层沉积过程的影响
机译:开发前体化学,用于高密度的原子层沉积,相变记忆的共形凝血剂膜
机译:高性能相变随机存取存储器(PCRAM)原子层沉积生长的SnSbSe(SSS)薄膜的特性
机译:用于原子层沉积Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜的存储器应用工程纳米级多铁复合材料。
机译:电极材料对用于相变随机存取存储器的原子层沉积生长的GeTe结晶的影响
机译:开发用于高密度的原子层沉积的前体化学,相变内存的共形凝血剂膜