Влияние термоотжига и условий охлаждения кристаллов n-Si

на температурные зависимости подвижности носителей заряда в области примесного рассеяния

摘要

Исследованы изменения температурных зависимостей подвижности носителей заряда в монокристаллах n-Si

, выращенных методом Чохральского, которые отжигались и охлаждались при различных условиях. Кристаллы с удельным сопротивлением ρ_(300K) = 0,3 и 4,4 Ом·см отжигались при 1200 и 500°Cв течение двух часов. Отжиг сопровождался быстрым (～ 1000°C/мин) или медленным (～ 1°C/мин) охлаждением. Показано, что подвижность свободных носителей заряда в случае примесного рассеяния определяется не только условиями термоотжига, но и скоростью охлаждения.