ZnSe中の極微量職等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討

定昌史; 遠藤礼暁; 熊野英和; 末宗幾夫; Masafumi JO; Michiaki ENDO; Hidekazu KUMANO; IkuoSUEMUNE

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ZnSe中の極微量職等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討

机译：在ZnSE中使用极少量的半导体单光子源的检查，例如Znse中的微电动作业

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従来，独立して取り扱われていた半導体量子ドットおよび不純物準位を用いた単一光子発生を単一固体内で制御する構造として，同族元素による等電子中心を利用する方法を提案し，ZnSe：取系を用いた単一光子源の検討を行った．400°C成長試料において，埋め込みZ鵡量の増加に伴い恥2等電子中心TeD2等電子中心，ZnTe量子ドットへの発光中心の遷移を確認し，発光過程制御の足がかりを得た．

机译：通常，我们提出了一种使用诸如同源元素的同源元素作为使用独立处理的半导体量子点和杂质水平的结构的方法的方法，使用单独的固体和ZnSe：使用检查系统。在400℃的生长样品中，确认了发射中心向ZnTe量子点的转变，并通过嵌入式Z1的增加来确认发射中心与ZnTe量子点的转变。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. レ-ザ·量子エレクトロニクス. Lasers and Quantum Electronics》 |2006年第215期|共5页
作者
定昌史; 遠藤礼暁; 熊野英和; 末宗幾夫; Masafumi JO; Michiaki ENDO; Hidekazu KUMANO; IkuoSUEMUNE;
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作者单位

日本学術振興会;

北海道大学電子科学研究所;

北海道大学電子科学研究所;

北海道大学電子科学研究所;

JSPS Research Fellow;

Research Institute for Electronic Science Hokkaido University;

Research Institute for Electronic Science Hokkaido University;

Research Institute for Electronic Science Hokkaido University;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类一般性问题;
关键词
II-VI族化合物半導体; 等電子中心; 量子ドット; 単一光子光渡; II-VI Compound Semiconductors; Isoelectronic Centers; Quantum Dots; Single Photon Sources;

机译：II-VI族化合物半导体;等电子中心;量子ドット;単一光子光渡;II-VI Compound Semiconductors;Isoelectronic Centers;Quantum Dots;Single Photon Sources;

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