机译:利用高温生长套房/ GaN缓冲层的蓝宝石衬底高质量宜人薄膜的外延生长
Indium nitride (InN); RF-MBE; Mobility; Carrier density;
机译:RF-MBE在蓝宝石衬底上外延生长高质量InN薄膜-低温生长的InN / GaN缓冲层的作用
机译:利用高温生长套房/ GaN缓冲层的蓝宝石衬底高质量宜人薄膜的外延生长
机译:利用高温生长套房/ GaN缓冲层的蓝宝石衬底高质量宜人薄膜的外延生长
机译:通过RF-MBE在未经氮化处理的蓝宝石(0001)衬底上两步生长InN薄膜
机译:Gan初步成长的研究
机译:用RF-MOMBE研究GaN模板上生长的InN外延膜和纳米棒
机译:具有缓冲层的引入,在蓝宝石衬底上合成高质量α-GA <亚> 2 sub> o 3 sub>薄膜