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微細CMOS LSIの製造技術: 高性能、高集積化を可能にする微細CMOS LSI製造のプロセス技術

机译:精细CMOS LSI制造技术:高性能,Micro CMOS LSI制造工艺技术,使高度集成

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摘要

近年、AI (Artificial Intelligence)の能力が高くなり、囲碁や将棋の高段者をも凌ぐようになってきている。また、次世代移動通信システム:5Gにより、その通信速度、容量が大幅に増大しようとしている。さらに自動車の全自動運転に向けた開発も盛hで、まさに「自動車」と呼ばれるようになりつつある。半導体デバイスはプレーナー:Planarと呼ばれる、平面上にデバイスを作製する技術を洗練させて発展してきたが、CMOSでは、現在、その限界が見えてきており、3D構造にしたり、他の材料を取り入れる研究がなされている。本稿では、これらについては他の良書に譲ることとし、Planar型のCMOS ICの作製技術について、微細化という観点を重視しつつ説明してゆく。まず、微細化の効用とその課題について概観し、次に、個々の作製技術について説明してゆく。
机译:近年来,人工智能的能力已经很高,他一直在超越Go和Shogi。此外,下一代移动通信系统:5G试图提高其通信速度和容量。此外,开发汽车的全自动驾驶正在成为“汽车”,并被称为“汽车”。半导体器件已被精制制造和开发平面上的设备,称为平面:平面,但CMOS目前可见其限制,研究3D结构或其他材料采用其他材料。在本文中,我们将把这些好书给予其他好书,并将解释平面型CMOS IC的制造技术,重点是小型化。首先,小型化及其问题的效用是概述,然后将描述各种制造技术。

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