遅延を抑えたスタック構造によるSOIプロセス向け耐ソフトエラーFFの提案および実測評価

摘要

本稿では，ソフトエラーに比較的強靭であるSOIプロセス向けの耐ソフトエラーフリップフロップを提案しその実測結果を述べる.SOI構造がデバイスレベルのソフトエラー対策として有効であり，さらにスタック構造とすることで，よりソフトエラーに強靭になる.SOI構造とスタック構造を用いてソフトエラー耐性を持ち，動作速度の速い回路を提案する.提案回路を65 nm thin BOX FDSOIプロセスで試作し，重イオンを用いてエラー耐性を評価した.提案回路は通常のDFFのインバータ，トライステートインバータをスタックした構造と比ベ21%動作速度が速い.提案回路はArイオン照射時ではエラー数が0であり，Krイオンを60°の角度で照射した際にエラーが発生したが，DFF と比ベエラー率は1/120である.Xeイオン垂直照射時ではDFFに比ベ垂直照射ではエラー率が1/105, 60°では1/18 である.