Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関

摘要

シリコン酸化膜にFowler-Noldheim (F-N)電子注入ストレスを印加した際の、stress-induced leakage current (SILC)と、random telegraph signalノイズの相関を、およそ8万個のn-MOSFETについて調査したので報告する。5.7nmの熱酸化膜に11MV/cmの定電界ストレスを印加すると、非常に大きなSILCを有するMOSFETの数と振幅の大きなRTSを有するMOSFETの数の両方が増加する。 しかし、大きなSILCを有するMOSFETが、同時に振幅の大きなRTSも有しているとは限らないことがわかった。