Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関

摘要

In this paper, we report the correlation between anomalous stress-induced leakage current (SILC) and random telegraph signal (RTS) in about 80,000 n-MOSFETs caused by the Fowler-Nordheim (F-N) electron tunneling stress. The number of MOSFETs that has large RTS increases and the number of MOSFETs that have anomalous SILC increases by applying F-N stress, respectively. It is also found that, however, the MOSFETs that have large RTS are not correlation with ones that have large anomalous SILC.%シリコン酸化膜にFowler-Noldheim（F-N）電子注入ストレスを印加した際の、Stress-induced leakagecurrent（SILC）と、random telegraph signalノイズの相関を、およそ8万個のn-MOSFETについて調査したので報告する。5.7nmの熱酸化膜に11MV/cmの定電界ストレスを印加すると、非常に大きなSILCを有するMOSFETの数と振幅の大きなRTSを有するMOSFETの数の両方が増加する。しかし、大きなSILCを有するMOSFETが、同時に振幅の大きなRTSも有しているとは限らないことがわかった。