ミストCVD法によるGa_xSn_(1-x)O薄膜の特性評価

摘要

薄膜トランジスタ動作する事が確認されたGa_xSn_(1-x)O（GTO）薄膜を、非真空プロセスであるミストCVD法によって、異なる基板温度でそれぞれ成膜時間を変えてガラス基板上に成膜した。そのGTO薄膜の光学的特性、電気的特性の評価を行った。GTO薄膜の光学的特性は可視光領域において透過率80%以上となったが成膜時間による依存性は見られなかった．GTO薄膜のシート抵抗である電気的特性は，450，500°Cともに成膜時間が長くなるにつれてシート抵抗は低下した．