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公开/公告号CN101897005A
专利类型发明专利
公开/公告日2010-11-24
原文格式PDF
申请/专利权人 村田正义;
申请/专利号CN200880120733.1
发明设计人 村田正义;
申请日2008-09-08
分类号H01L21/205;C23C16/505;
代理机构北京市中咨律师事务所;
代理人段承恩
地址 日本长崎县
入库时间 2023-12-18 01:09:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-06-22
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/205 公开日:20101124 申请日:20080908
发明专利申请公布后的视为撤回
2010-11-24
公开
机译: 高频等离子体CVD装置,高频等离子体CVD方法以及半导体薄膜的制造方法
机译: 利用高频等离子体CVD法的成膜装置及成膜方法
机译: 沉积膜形成装置和高频等离子体CVD法沉积膜形成
机译:三极管等离子体CVD法对3C-SiC外延生长膜特性的高频功率依赖性
机译:微波等离子体增强CVD和RF等离子体增强CVD法沉积类金刚石碳膜的磨损寿命评估
机译:高频率双射频等离子体喷射CVD沉积单晶金刚石
机译:用Mirowava用新型等离子体CVD设备使用新型等离子体CVD装置,用新型等离子体CVD装置进行DLC涂覆内表面的摩擦学性质
机译:微波液体中等离子体CVD法合成金刚石的研究。
机译:关于等离子体处理的历史以及具有两个现代设备的历史性高频等离子体设备的抑菌效果比较
机译:开发用于半导体薄膜的远程线源等离子体CVD设备并利用相关技术开拓新业务
机译:用于研究高频场与等离子体相互作用的R-Om实验装置。