首页> 中国专利> 高频等离子CVD装置与高频等离子CVD法以及半导体薄膜制造法

高频等离子CVD装置与高频等离子CVD法以及半导体薄膜制造法

摘要

与构成串联型薄膜硅太阳能电池的制造用的VHF等离子CVD装置的等离子产生源有关,其目的在于提供能够抑制驻波的影响以及在一对电极之间以外产生的有害等离子的产生、并且抑制供给电力的在这一对电极之间以外的消耗的大面积·均匀的VHF等离子CVD装置以及方法。该等离子CVD装置以及方法,其特征在于:具有下述结构,将配置于电极上的互相相对的位置的第1以及第2给电点之间的距离设定为使用电力的波长的二分之一的整数倍,通过供给从2台能够脉冲调制的相位可变2输出的高频电源输出的在时间上分离的脉冲电力,在时间上交替产生波腹的位置与该第1以及第2给电点的位置一致的第1驻波和波节的位置与该第1以及第2给电点的位置一致的第2驻波。

著录项

  • 公开/公告号CN101897005A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 村田正义;

    申请/专利号CN200880120733.1

  • 发明设计人 村田正义;

    申请日2008-09-08

  • 分类号H01L21/205;C23C16/505;

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人段承恩

  • 地址 日本长崎县

  • 入库时间 2023-12-18 01:09:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-06-22

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/205 公开日:20101124 申请日:20080908

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-11-24

    公开

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