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第4回磁性人工構造膜の物性と機能専門研究会/「磁性微粒子の界面物性の制御と機能材料」

机译:创始人4物理性质和功能研究组/功能研究组/“磁性微粒的控制和功能材料”

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摘要

前半の3件の講演は,結晶界面での電子状憩電気伝導,および結晶成長過程の制御に関する報告である。井上氏はCo/Al_O_3界面のAl酸化物の電子状態を計算し,p-d混成によって生じたAlや酸素のp電子のフェルミ準位での+,ースピンの状態密度の差が,実験的に得られる正の分極率を説明できることを示し,トンネル磁気抵抗特性が界面酸化物に強く影響されていることを報告した.向江氏は,ZnO系パリスタの特性が結晶粒界に形成される二重ショットキーバリアーに起因しており,特に界面に形成される酸素イオンの界面準位がパリスタ特性を支配していることを報告した。またリソグラフィーによる電極形成による単一粒界のパリスタ特性の測定例を紹介した.
机译:上半场的三个讲座是关于晶体界面的电子锭电导却和晶体生长过程的控制报告。 Inoue计算Co / Al_O_3界面处的Al氧化物的电子状态,并且通过Pd混合物产生的Al和氧的P电子的状态密度的差异,通过实验获得第二引脚的状态密度的差异。它已经表明可以解释阳性极化性,并且据报道隧道​​磁阻特性受界面氧化物的强烈影响。 OSEGO可归因于晶界中形成的双拍键屏障,并且在界面上形成的氧离子的界面级别特别主导了单位特性。报道。 通过光刻形成电极形成,我们还介绍了单晶界限的测量的示例。

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