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第5回磁性人工構造膜の物性の機能専門研究会/第37回光スピニクス専門研究会「半導体スピン制御の最近の発展」

机译:第五届磁性人工结构膜物理性能研讨会/第三十七届光学自旋研讨会“半导体自旋控制的最新进展”

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摘要

InMnAsで強磁性が発見されて以来,半導体におけるスピン制御の研究は著しい発展をとげ,現在スピンエレクトロニクスにおける最も関心の高い研究課題の一つとなってきている.さらに最近では,室温より高いキュリー温度を有する磁性半導体の発見や,磁性半導体から半導体へのスピン注入の実証など~いよいよ実用を目指した研究も活発になってきている.そこで今回は,この分野をリードする先生方に最新のトピックスと今後の展望について,ご講演いただいた.佐藤氏は、全体のイントロダクションとして磁性半導体の研一究の歴史に触れたあと,最近注目を浴びているカルコパライトII-VI-V2族系室温強磁性半導体についてレビューを行った。 磁性半導体の研究の歴史は1960年代までさかのぼるが91980年代にCd札蝕TeなどII-VI族をベースとしたDMS(希薄磁性半導体)が発見されて研究が活発となった」1990年代ほGaAsをベースとした甘卜V族磁性半導体の研究が著しく進展し現在に至っている.佐藤民らはミレニアムである2000年にCdGeP_2にMnを高濃度でドープした新しいカルコパライトII-IV-V2族系室温強磁性半導体を発見し.た.Mnnドープは,CdGeP_2の母体結晶にMfiEでMnを蒸着しっ500℃で30分in-situで熱拡散することによって簡易に行うことができる.ドープ量は表面で50 percent,深さ0.2μmで20 percentにも達し,従来のMn:GaAsに対して極めて大きい.得られたMn:CdGeP_2のキュリー温度は320Kと室温以上であり,M-Tカーブほ牒=1/2であることを示唆する.佐藤民らは,さらに詳しい物億を測定するために上記材料の粉末合成にも取り組んでおり,現在Mnを50 percent近くドープした100nmサイズの単結晶の合成に成功しているとのことである。 またカルコパライト系II-IV-V2族の母体結晶ば,CdGeP_2以外にZnGeP_2など多様な選択肢があり,今後の研究の発展がおおいに期待される.
机译:自从在InMnAs中发现铁磁以来,半导体自旋控制的研究取得了显着进展,目前是自旋电子学中最有趣的研究主题之一。最近,针对实用化的研究变得活跃,例如发现居里温度高于室温的磁性半导体,以及从磁性半导体向半导体中自旋注入的演示。因此,这次,我们请该领域的领先教师就最新主题和未来前景进行演讲。在全面介绍了磁性半导体研究的历史之后,Sato先生回顾了Calcopalite II-VI-V2组室温铁磁半导体,这些近来引起了人们的关注。磁性半导体的研究历史可以追溯到1960年代,但是在91980年代,发现了基于II-VI组的DMS(稀磁半导体),例如Cd标签腐蚀Te,并且研究活跃起来。”对基础V族磁性半导体的研究已经取得了显着进展,并且已经达到目前的水平。 Minoru Sato等人发现了一种新的角铁矿II-IV-V2组室温铁磁半导体,其中的CdGeP_2在2000年(千年前)被高浓度的Mn掺杂。它是。通过在MdE上将Mn沉积在CdGeP_2的母体晶体上,然后在500°C下将其热扩散30分钟,可以很容易地进行Mnn掺杂。掺杂量在表面上达到50%,在0.2μm的深度达到20%,这与常规Mn:GaAs相比非常大。所得的Mn:CdGeP_2的居里温度为320K,高于室温,表明M-T曲线为1/2。 Min Sato等人还致力于上述材料的粉末合成,以测量更详细的内容,目前正在成功地合成100%尺寸的掺有近50%Mn的单晶。 ..除CdGeP_2外,对于黄铜矿II-IV-V2族的母体晶体,还有多种选择,例如ZnGeP_2,人们对未来的研究发展寄予厚望。

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