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第5回磁性人工構造膜の物性の機能専門研究会/第37回光スピニクス専門研究会「半導体スピン制御の最近の発展」

机译:FAIN磁性人工结构薄膜/ 37光旋转专项研究组的物理性质的功能研究组“半导体旋转控制的最新发展”

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摘要

InMnAsで強磁性が発見されて以来,半導体におけるスピン制御の研究は著しい発展をとげ,現在スピンエレクトロニクスにおける最も関心の高い研究課題の一つとなってきている.さらに最近では,室温より高いキュリー温度を有する磁性半導体の発見や,磁性半導体から半導体へのスピン注入の実証など~いよいよ実用を目指した研究も活発になってきている.そこで今回は,この分野をリードする先生方に最新のトピックスと今後の展望について,ご講演いただいた.佐藤氏は、全体のイントロダクションとして磁性半導体の研一究の歴史に触れたあと,最近注目を浴びているカルコパライトII-VI-V2族系室温強磁性半導体についてレビューを行った。 磁性半導体の研究の歴史は1960年代までさかのぼるが91980年代にCd札蝕TeなどII-VI族をベースとしたDMS(希薄磁性半導体)が発見されて研究が活発となった」1990年代ほGaAsをベースとした甘卜V族磁性半導体の研究が著しく進展し現在に至っている.佐藤民らはミレニアムである2000年にCdGeP_2にMnを高濃度でドープした新しいカルコパライトII-IV-V2族系室温強磁性半導体を発見し.た.Mnnドープは,CdGeP_2の母体結晶にMfiEでMnを蒸着しっ500°Cで30分in-situで熱拡散することによって簡易に行うことができる.ドープ量は表面で50 percent,深さ0.2μmで20 percentにも達し,従来のMn:GaAsに対して極めて大きい.得られたMn:CdGeP_2のキュリー温度は320Kと室温以上であり,M-Tカーブほ牒=1/2であることを示唆する.佐藤民らは,さらに詳しい物億を測定するために上記材料の粉末合成にも取り組hでおり,現在Mnを50 percent近くドープした100nmサイズの単結晶の合成に成功しているとのことである。 またカルコパライト系II-IV-V2族の母体結晶ば,CdGeP_2以外にZnGeP_2など多様な選択肢があり,今後の研究の発展がおおいに期待される.
机译:由于在Inmnas中发现了铁磁性,半导体中的旋转控制研究具有显着的发展,现在正在成为旋转电子产品中最有趣的研究问题之一。此外,近年来,磁性半导体的发现具有高于室温的居里温度,从磁半导体到半导体的旋转注射的演示也是有效的。所以这段时间,我讲课了领导这一领域的教师的最新主题和未来前景。 Sato先生审查了最近引起了磁半导体历史的Cancoparite II-VI-V2的室温铁磁半导体。由20世纪60年代发现磁半导体研究的历史,但是基于II-VI的DMS(稀释磁半导体),例如91980年的CD壁TE,并且研究是活跃的。“甘薯低音的研究v集团显着进展,已达到现在。佐藤在2000年CDGEP_2中发现了一种新的甲匹油II-IV-V2室温铁磁半导体,在2000年CDGEP_2,千年。稻田。 MNN掺杂可以简单地通过在500℃的母体晶体中的MFIE在500℃的MFIE处的MFIE。掺杂量达到50%,深度为0.2μm,对于传统Mn:GaAs非常大。所得Mn的居里温度:CDGEP_2为320K,更高的室温,并且表明M-T曲线件为1/2。佐藤还在研究上述材料的粉末合成,以测量更加少量的亿,并且在合成100nm大小的单晶的合成中,目前掺杂的含量较近50%。它是。另外,除了CDGEP_2之外的各种选项,如除CDGEP_2之外,具有多种细胞癌型II-IV-V2母体晶体,并预期未来研究的发展。

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