半導体用低誘電率層間絶緑膜材料一高強度シリカ系絶縁膜材料の開発

摘要

テトラエトキシシラン（Si（OC2H5）．，）に代衷されるケイ素化合物を加水分解，縮重合させて得られるポリシロヰサンを，加熱硬化して二酸化ケイ素（SiO2）を得る方法は，従来からよく知られており，ゾルーゲル法としてガラスファイバーやガラスプレートの製造などに広く用いられている。ゾルーゲル法は従来の製造技術と比較して，低温で緻密なガラスが作製できさらに原料のケイ素化合物を精製することによって高純度なSiO2が得られることから1980年代には半導体デバイスの層間絶縁及び平坦化膜として広く用いられてき　ている。