2Xnm世代以降のトランジスタに向けた,高速且つ低消費電力動作する不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発

才田大輔; 柏田沙織; 矢ヶ部恵弥; 大坊忠臣; 伊藤順一; 野口紘希; 安部恵子; 藤田忍; 福本三芳; 三輪真嗣; 鈴木義茂

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2Xnm世代以降のトランジスタに向けた,高速且つ低消費電力動作する不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発

机译：用于非易失性STT-MRAM的MTJ元件的研制，其在2xM代中晶体管运行的快速和低功耗

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1x-nmサイズのMTJ（magnetic tunnel junction）素子を開発し，3ns以下の高速スイッチング動作と100 μA以下の低電流動作を実証した．開発したMTJ素子は，キャッシュメモリで要求されるデータ保持時間（retention）を有し，高速で安定した読み出し動作と書き込みのEndurance耐性も両立していることを確かめている．

机译：开发了一个1x-nm尺寸MTJ（MTJ）器件，并展示了3 ns或更小的高速切换操作，低电流操作为100μA或更小。开发的MTJ元件具有高速缓冲存储器请求的保留时间，并且确定高速和稳定的读取操作和写入耐久性也兼容。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. 集積回路. Integrated Circuits and Devices》 |2017年第9期|共5页
作者
才田大輔; 柏田沙織; 矢ヶ部恵弥; 大坊忠臣; 伊藤順一; 野口紘希; 安部恵子; 藤田忍; 福本三芳; 三輪真嗣; 鈴木義茂;
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作者单位

（株）東芝研究開発センター;

（株）東芝研究開発センター;

（株）東芝研究開発センター;

（株）東芝研究開発センター;

（株）東芝研究開発センター;

（株）東芝研究開発センター;

（株）東芝研究開発センター;

（株）東芝研究開発センター;

大阪大学基礎工学研究科;

大阪大学基礎工学研究科;

大阪大学基礎工学研究科;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
MTJ素子; STT-MRAM; キャッシュメモリ;

机译：MTJ元素;STT-MRAM;现金记忆;

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