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超高圧マイクロジェットによる半導体CMPパッドの洗浄·コンディショニング技術

机译:超高压微射流清洗和调节半导体CMP垫的技术

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摘要

デバイスCMP以外にもシリコンウェハを製造する工程で,シリコン引き上げ後,外周研削,ノッチ形成,スライシング,ベベリング,ラッピングを行った後,ウェハ表面を高精度の平坦化する,いわゆるベアシリコンウェハのCMPがある(以下シリコンCMP).デバイスCMPと同様にこの製造工程にもパッドコンディショニングがあるが,シリコンCMPに用いられるパッドにはウレタン製の不織布パッドが広く用いられている.このパッドコンディショニングには,ブラシによる方法が用いられていたが,パッドの清浄度不足でパッドの早期交換が問題となっていた.そこで3MPa~20MPaの高圧水を孔径数百マイクロメータの特殊ノズルにより,マイクロメータオーダの微小液滴を数十m/sに高速化させて,パッドに向け水滴を噴射する超高圧マイクロジェット(Super High Pressure Micro Jet以下HPMJ)によるパッドコンディショニングを提案し,装置化を実現し,その効果を見出したので報告する.
机译:除了器件CMP之外,在制造硅晶片的过程中,在拉动硅之后,在执行外周磨削,凹口形成,切片,Vebelling和Lappe之后,晶片表面的CMP在高精度下扁平。被密钥熊硅晶片一些(下面的硅CMP)。类似于器件CMP,在该制造过程中还存在焊盘调节,但是由氨基甲酸酯制成的非织造垫广泛用于用于硅CMP的垫中。在该焊盘调节中,使用刷子的方法,但由于缺乏垫的清洁度,垫的早期更换是问题。因此,3 MPa至20MPa的高压水是数百微米的高压,数百个微米,超高压微射流(超高压微射流(超级高压微射流(超级),以扩展微米级液滴到几十个M / s并向垫上喷射水滴通过HPMJ进行垫调节,并实现了效果。

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