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超高圧マイクロジェット精密洗浄によるパッドコンディショニング技術(第2報酸化膜ILD CMP におけるEx-situ コンディショニングの検討)

机译:超高压微目型精密清洁焊盘调节技术(CMP中的CMP中的ex-situ调理)

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摘要

平坦化CMP(Chemical Mechanical Polishing)は,半導体デバイスの多層化を実現技術には不可欠な技術となっている.CMP 工程における,パッドコンディショイニング技術は,従来から,ダイヤモンドディスクによるコンディショイニングが主流となっている.しかしパッドを削り落とすためにパッドのライフが短くなるとともに,蓄積したスラリーを完全に除去できない問題を抱える.我々はこの問題を解決するために,3~30MPa で圧縮した純水を,直径数百μm のオリフィスを持つ特殊ノズルによりマイクロメータオーダの微小液滴を形成し,かつ数10m/s に高速化しパッドに噴射する,高圧マイクロジェット精密洗浄装置(High Pressure Micro Jet System,以下HPMJ)によるコンディショニングを提案している.1-2)前報3)では,純水噴射によるHPMJ コンディショニングには,CMP 時にパッド表面のpH を下げ,In-situ,Ex-situ ダイヤモンドコンディショニングに比べ,特性の安定性に問題があり得ることを指摘した.本報告では,HPMJ でpH を調整したKOH 水溶液,スラリーの噴射およびダイヤモンドディスクとの組合せで,コンディショニングの下,50 枚連続の酸化膜ILD の加工を行い,その特性を把握し,HPMJ の効果的適応法を明らかにする.
机译:平坦化的CMP(化学机械抛光)是半导体器件的多层膜的技术的一个组成部分。在CMP过程中,垫调节技术以往,调理由金刚石盘是主流。但是,衬垫的升降器将缩短至刮去垫,累积浆料不能被完全除去。为了解决这个问题,在3-30兆帕的压缩纯水通过具有直径为几百μm的特殊喷嘴形成,并且所述微米级是由一个特殊的喷嘴形成,并且数量为10m / s我们有提出调节用高压微射流精密清洗装置(HPMJ)注射(HPMJ)注入到垫。 1-2)在上次报告3),HPMJ调理用纯水注入降低在CMP垫表面的pH值,并且有可能的特性的稳定性可能是由于原位和易地金刚石空调,我指出。在本报告中,氧化膜ILD的50张被下调理处理用HPMJ,浆料和金刚石磨盘,和氧化膜ILD的50张的注射KOH水溶液的组合下调理处理,并且其特点是把持,和HPMJ的有效性出现适配方法。

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