酸化グラフェン正孔バッファー層上に作製した逆構造ペロブスカイト太陽電池の高性能化にむけた製膜方法の検討

摘要

本研究では酸化グラフェン（GO）を正孔バッファー層として用いた逆構造ペロブスカイト太陽電池を作製した。交互吸着法と電気泳動法に着目し、GOの製膜方法とGO層数による性能の違いと高性能化に向けた製膜条件の検討を行った。交互吸着法を用いた場合では1～3回積層することでヒステリシスがなくなり効率も改善したが仕事関数が小さく開放電圧に課題が残った。電気泳動法では直接GO薄膜をITO電極上に積層することで開放電圧に改善がみられたが、GOの膜厚依存性が大きく厚いときに直列抵抗による効率低下がみられた。