ホットプレス法によるフレキシブル有機トランジスタの作製

摘要

本研究では、ガラス基板およびポリイミド基板上にTTC_(18)-TTF FETをホットプレス法により作製した。ホットプレス法とは、2枚の基板で挟hだ有機半導体粉末を加熱溶融しながら加圧し、基板間に結晶を成長させる印刷プロセスである。従来のプロセスでは、有機半導体材料のインク化に必要な有機溶媒の排出が問題であったが、本プロセスでは、インク化を経ずに印刷できることが特徴である。TTC_(18)-TTFをテスト材料として用いたFETでは、キャスト法により作製したFETと比較して正孔移動度に7倍の向上が見られた。また、ポリイミド基板を用いたTTC_(18)-TTF FETにおいて、曲率半径5mmの曲げに対する正孔移動度の劣化は4％以下であった。