ホットプレス法によるフレキシブル有機トランジスタの作製

摘要

In this study, we fabricated TTC_(18)-TTF transistors on glass and polyimide substrates by the hotpress method. This method is a novel solvent-free printing method which fabricates organic semiconductor device by melting and pressurizing organic compound between two substrates. Using this approach, TTC_(18)-TTF crystals grew larger than channel length on glass substrates. The hole mobility of FET using glass substrates was 7 times higher than that by the cast method. The mobility degradation at bending radius of 5 mm was less than 4%.%本研究では、ガラス基板およびポリイミド基板上にTTC_(18)-TTF FETをホットプレス法により作製した。ホットプレス法とは、2枚の基板で挟んだ有機半導体粉末を加熱溶融しながら加圧し、基板間に結晶を成長させる印刷プロセスである。従来のプロセスでは、有機半導体材料のインク化に必要な有機溶媒の排出が問題であったが、本プロセスでは、インク化を経ずに印刷できることが特徴である。TTC_(18)-TTFをテスト材料として用いたFETでは、キャスト法により作製したFETと比較して正孔移動度に7倍の向上が見られた。また、ポリイミド基板を用いたTTC_(18)-TTF FETにおいて、曲率半径5mmの曲げに対する正孔移動度の劣化は4％以下であった。