in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価

摘要

有機薄膜トランジスタ（OTFT）において、有機半導体／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位はTFTの動作特性·動作安定性に大きな影響を及ぼす。これに対し我々は、酸素や水分の影響を受けることなく界面のトラップ準位の定量評価が可能なin-situ電界効果熱刺激電流（FE-TSC）測定装置を開発し、有機半導体／絶縁膜界面の評価を行なってきた。この装置を用いて、高純度ペンタセンと表面化学状態の異なる複数種のゲート絶縁膜との界面におけるトラップ準位密度分布の評価を行なったところ、絶縁膜表面化学状態によらずペンタセンHOMO上端から70-100meV上方に孤立したトラップ準位が存在していることが確認された。