化学気相成長法による単層カーボンナノチューブの作製とカイラリティ分布～成膜中自由電子レーザー照射によるカイラリティ制御

摘要

アルコールを炭素源に用いた化学気相成長法により単層カーボンナノチューブ（SWNT）を成長させた。励起光を4種類用いた共鳴Raman散乱とカタウラプロットによる考察により、直径が0.92～1.41nmのSWNTsを成長させ、可能なカイラリティは30種類であることがわかった。金属、半導体的性質の両者が混在して成長していた。一方、成長中に532～1400nm の自由電子レーザーを照射した。波長800nmのFELを照射すると、直径約1.1nmのSWNTsは、5種類のカイラリティに限定され、すべて半導体的性質を持つことがわかった。FEL照射がSWNTsのカイラリティを制御し、均一な電気特性をもつ、究極のFET作製に効果的であることを示した。