自由電子レーザ照射による単層カーボンナノチューブの成長中カイラリティ制御

摘要

単層カーボンナノチューブ（SWNT）は直径とカイラリティによって金属、半導体になる。SWNTをナノ電子デバイスに応用するためにはカイラリティの制御が必要である。しかし、現在までにカイラリティ制御の確立された手法は報告されていない。我々は自由電子レーザ（FEL）を照射して訂SWNTのカイラリティ制御の手法を確立させることを目指している。照射したFELの波長は直径1.1nmの半導体SWNTの光吸収波長域である800nmを選択した。成長したSWNTは532nmと785nmのRaman分光装置により構造解析を行った。FEL末席射時はどちらの励起波長でも直径1.1nmを示すRBMが存在した。FEL照射時は励起波長785nmのみRBMが存在した。800nmのFEL照射によって半導体SWNTの成長を選択的に促進することができた。%Single wall carbon nanotubes (SWNTs) are characterized as metals or semiconductors depending on their diameter and chirality. For applying SWNTs to the nanoscale electronic devices, the chirality must be controlled. We propose a novel technique to control the chirality using free electron laser (FEL) irradiation. The irradiation of FEL with the wavelength of 800 nm can be effective to enhance the synthesis of semiconductive SWNTs selectively with the specific chirality to the SWNTs with the 1.1 nm in diameter, hi the SWNTs grown under 800 nm FEL irradiated the peak of radial breathing mode (RBM) was observed only diode laser (@785 nm). Effect of 800 nm FEL irradiation during ACCVD was advanced semiconductive SWNT growth.