Синтез гексагональных слоев AIN и GaN на 81(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии

摘要

Рассмотрена технология синтеза A1N- и GaN-структур на Si( 100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии, включающей в себя сульфидирование поверхности кремния, зарождение и рост AlN-слоя, а затем GaN/AlN-структуры. Обнаружено, что синтез GaN происходит на буферных слоях двух кристаллографических ориентации AIN на подножке Si(100) по сравнению с одной кристаллографической ориентацией на подложке Si(lll). Показано, что применение водных растворов (NH_4)_2S при обработке Si(100) приводит к уменьшению полуширины рентгеновской кривой качания GaN(0002) в 1.5 раза.