Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AIGaAs

摘要

Приведены результаты комплексного анализа параметров полупроводниковой сверхрешетки GaAs/AIGaAs со сложной элементарной ячейкой с использованием математического моделирования и экспериментальных методов просвечивающей электронной микроскопии, энергодисперсионного анализа, спектроскопии фотолю- минесценции и фототока. Показано подавление внутризонной статической отрицательной дифференциальной проводимости в условиях сильного взаимодействия между мини-зонами и негармонического закона дисперсии электронов.