MHEMT С ПРЕДЕЛЬНОЙ ЧАСТОТОЙ УСИЛЕНИЯ ПО МОЩНОСТИ F_(MAX)=0.63 ТГЦ НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ln_(0.42)Al_(0.58)As/ln_(0.42)Ga_(0.58)As/ln_(0.42)Al_(0.58)As/GaAs

摘要

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии была выращена наногетероструктура In_(0.42)Al_(0.58)As/In_(0.42)Ga_(0.58)As/In_(0.42)Al_(0.58) cо ступенчатым метаморфным буфером на подложке GaAs. Среднеквадратичное значение шероховатости поверхности составило 3.1 нм. На данной наногетероструктуре был изготовлен MHEMT транзистор c зигзагообразным затвором длиной 46 нм, для которого предельные частоты усиления по току и по мощности составили f_T=0.13 TГц и f_(max)=0.63 TГц соответственно.