Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1 = 1.0-1.9мкм)

摘要

В импульсном режиме генерации исследованы спектральные и ватт-амперные характеристики лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения InGaAs/InGaAsAl/InP и InGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs, Показано, что при высоких уровнях токовой накачки в полупроводниковых лазерах ближнего инфракрасного диапазона излучения концентрация носителей заряда в акгивной области возрастает за порогом генерации и наблюдается насыщение ватт-амперных характеристик. Теоретически исследованы процессы, происходящие в лазерах при возрастании концентрации носителей заряда за порогом генерации. Установлено, что при высоких уровнях накачки уменьшается скорость стимулированной рекомбинации, возрастает время жизни носителей заряда, уменьшаются концентрация излучаемых фотонов и квантовый выход стимулированного излучения. Показано, что падение квантовой эффективности и насыщение ватт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров при высоких уровнях токовой накачки определяются вкладом безызлучательной оже-рекомбинации.