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贾国治; 姚江宏; 刘国梁; 柏天国; 刘如彬; 邢晓东;
南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,信息光子材料与技术重点实验室,泰达应用物理学院;
光电子学; 俄歇复合; 应变量子阱; 阈值电流密度; 特征温度;
机译:拉伸应变对1.5- / splμm/ m多量子阱激光器中微分增益和俄歇复合的影响
机译:拉伸应变对1.5微米多量子阱激光器中微分增益和俄歇复合的影响
机译:GalnN / GaN量子阱激光器结构中的俄歇复合
机译:1.5 / spl mu / m量子阱激光器的俄歇复合和微分增益对阈值电流和温度灵敏度的研究
机译:固体理论研究:(1)半导体超晶格的光学性质。 (2)半导体量子阱中的俄歇复合。
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:通过施加静水压力使1.3mm GaInNAs量子阱激光器的俄歇电流异常增加
机译:应变对应变量子阱激光器中阈值电流,模态纯度和俄歇过程的影响
机译:具有低电流密度阈值和较高T.O.值的量子阱异质结构激光器
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
机译:可抑制俄歇复合的可调谐激光器
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