...
机译:的结构和HEMT FET的电流 - 电压和电容 - 电压特性的理论和实验研究
Нижегородский государственный университет Н.И. Лобачевского 603600 Нижний Новгород Россия;
Нижегородский государственный университет Н.И. Лобачевского 603600 Нижний Новгород Россия;
Нижегородский государственный университет Н.И. Лобачевского 603600 Нижний Новгород Россия;
Нижегородский государственный университет Н.И. Лобачевского 603600 Нижний Новгород Россия;
Национальный исследовательский университет ?Московский институт электронной техники" (МИЭТ) 124498 Москва Зеленоград Россия;
Национальный исследовательский университет ?Московский институт электронной техники" (МИЭТ) 124498 Москва Зеленоград Россия;
Нижегородский государственный университет Н.И. Лобачевского 603600 Нижний Новгород Россия;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
ОАО ?Научно-производственное предприятие ?Салют" 603950 Нижний Новгород Россия;
机译:基于测量的GaAs HEMT技术分析:多层D-H假形旋转血管与常规S-H HEMT
机译:缩小尺寸的AlCaN(<6 nm)/ CaN异质结构中的界面电荷工程,用于制造基于GaN的功率HEMT和MIS-HEMT
机译:GaN HEMT,MIS-HEMT和P栅极HEMT的可靠性和失效物理学用于电源开关应用 - 由于深度效应和时间依赖性分解现象,寄生效应和降解
机译:用于LLC转换器的平行GaN HEMT的分析与优化
机译:不同修复方法对常关P-GaN HEMT电性能的影响
机译:alInN / GaN HEmT的电学性能。与具有相似工艺的alGaN / GaN HEmT的比较