Интенсивность излучения линии λ=1.54 мкм в пленках ZnO, полученных магнетронным распылением, легированных Се, Yb, Ег методом диффузии

摘要

Определено влияние типа возбуждения иона Ег~(3+) на спетры фотолюминесценции кристаллических пленок ZnO(ZnO(Ce, Yb,Er)) в случае резонансного с λ=532нм (переход иона Ег~(3+) ~4S_(3/2), ~2Н_(11/2)-~4I_(15/2)) и нерезонансного (с λ=325 нм, в области вблизи краевого излучения ZnO) возбуждений. Показано, что при резонансном возбуждении имеются линии с различной интенсивностью излучения, характерные для внутрицентрового 4f перехода иона Ег~(3+) с λ=1535 нм, при легировании тремя РЗИ (Се