TbPe垂直磁化膜をメモリー層とした磁気トンネル接合の熱アシスト磁化反転

摘要

大きな垂直磁気異方性を有し，低キュリー温度のTbFeをメモリー層とした［Co/Pd］/MgO/TbFe垂直磁気トンネル接合を作成し，その磁気抵抗（MR）特性およびトンネル障壁へ電流パルスを印加することで発生するジュール熱による熱アシスト磁化反転を確認した．MgO 1.4nmの磁気トンネル接合素子では低バイアス（40mV）でMR比9％，面積抵抗342Ωμm~2程度の値が得られた．またTbFe層の室温での保磁力は1.5kOe以上であるが，トンネル障壁にパルス幅100msecの電流パルスを印加することで発生するジュール熱を利用し，1000Cの磁界で磁化反転を観測した．