【24h】

MgO下地層を用いた極薄FePt垂直磁化膜の作製

机译:使用MgO底层制备超薄垂直磁化膜

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摘要

2nm程度のL1_0-FePt規則合金薄膜を作製するために,Feシード層上に形成した(001)優先配向を持つMgO下地層を用いた.(001)優先配向MgO下地層上にエピタキシャル成長したFe[1 nm]/Pt[1 nm]は,水素雰囲気中での加熱処理により(001)優先配向したL1_0-FePt規則合金に変化し,2nm程度の(001)優先配向L1_0-FePt規則合金薄膜を得ることができた.また,Fe,Pt膜を薄くしたことにより膜相互間の拡散が促進され,FePtの規則化温度を従来の550°Cから500°Cまで低減することができた.また,FePtの規則化温度のさらなる低減を目指し,第三元素としてAnをFe/Pt/Auの三層構造とすることにより添加した.その結果,規則化温度を450°Cまで低減することに成功した.
机译:为了产生约2nm的L1_0-refep规则合金薄膜,使用具有在Fe种子层上形成的(001)形成的MgO底层。 (001)优选的对准MgO外延生长的Fe [1nm] / pt [1nm]通过在氢气氛中热处理和约2nm(001 )优先级对准L1_0-FEST规则可以获得合金薄膜。 此外,促进了薄的制造Fe和Pt膜,促进了膜之间的扩散,并且可以从常规550℃至500℃下减少扫描的正则化温度。 另外,目的是进一步降低备用术的正则化温度,作为Fe / Pt / Au的第三个元素加入。 结果,它成功地将正则化温度降低至450℃。

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