机译:低于60mV /十年CMOS器件使用负电容进行电压放大的实验观察
Negative capacitance; MOSFET; CMOS;
机译:低于60mV /十年CMOS器件使用负电容进行电压放大的实验观察
机译:负电容混合CMOS的装置和电路电平分析:低功耗/低压应用的前景
机译:使用负电容为低功率纳米级器件提供电压放大
机译:SiC衬底上的Al0.83In0.17N / AlN / GaN MOS-HEMT中“负”电容且陡峭于40mV / decade亚阈值摆幅的实验观察和物理学
机译:CMOS电路中压控自旋电子器件的集成
机译:二维电致伸缩场效应晶体管(2D-EFET):60mV /十倍以下陡峭斜率器件具有高导通电流
机译:使用负电容以提供超级电力纳米级设备的电压放大
机译:高频mOs电容 - 电压特性对氧化物电荷不均匀性对快速表面态密度影响的实验观察。