Образование силицидов при отжиге тонких пленок твердых растворов систем Ni-Pt, Ni-Pd и двухслойных гетероструктур Pt/Ni на (111)Si

摘要

Установлено, что при изотермическом отжиге гетероструктур (Ni-Pt)/Si и Pt/Ni/Si происходит синтез ориентированных силицидов на основе Ni и на основе Pt. Три эквивалентные азимутальные ориентации основного ориентационного соотношения в системе Si-Ni_(1-x)Pt_xSi приводят к формированию нанокристаллической субструктуры силицидов. Устойчивость субструктуры обусловлена наиболее оптимальным сопряжением на межфазной границе и близостью взаимных разориентаций зерен к специальным. Показана возможность расслоения силицидных фаз Ni_(1-x)Pt_xSi и Pt_(1-y)Ni_ySi, Ni_(1-x)Pd_xSi и Pd_(1-y)Ni_ySi при их взаимном параллельном сопряжении. Расслоение связано с преимущественной диффузией Ni в обеих системах. Установлено, что присутствие второго компонента (Pt) стабилизирует орторомбический силицид на основе Ni и исключает образование NiSi_2. Эффект фотонной обработки проявляется в ускорении диффузии и образовании однофазного силицида Ni_(1-x)Pt_xSi.