CdTe系放射線検出器の開発動向

摘要

CdTe系の化合物半導体は放射線の吸収効率が高く、室温での高抵抗化が可能である。このため、その光電効果を利用することによって、シンチレーク検出器のように放射線を光に変換する必要がなく、しかも室温で動作する小型高感度の検出器ができる。CdTe検出器の開発は1970年代に始まったが1-2)、当初は性能に再現性が得られず四半世紀にわたって不純物と検出特性の関連性などの基礎研究が行なわれていた3)。 その後1990年代になってようやく再現性のあるCdTeの結晶成長技術が開発され4).さらにロシア生まれアメリカ育ちの結晶成長技術でCdZnTeを使った検出器が登場して5)、実用的なCdTe系検出器の開発が始まった。 このCdTe系検出器について最新の開発動向を紹介する。