二段加速レンズを用いたガスイオンナノビームの形成

摘要

半導体デバイスの製造に用いられる露光用マスクの補修や半導体内の微量元素分析には、サブマイクロメートル以下の空間及び深度分解能が必要である。これには数10～数100keV領域のイオンビームが適しており、一般には、集束イオンビーム装置(FIB)により形成される数10keVで、数nm径の金属イオンビームが使用されている。